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LATERAL DMOS POWER TRANSISTOR DESIGNCOLAK S; SINGER B; STUPP E et al.1980; I.E.E.E. ELECTRON DEVICE LETT.; USA; DA. 1980; VOL. 1; NO 4; PP. 51-53; BIBL. 6 REF.Article

RECHNERGESTUETZTE ANALYSEVERFAHREN ALS WESENTLICHES MITTEL DES ENTWURFS VON BIPOLARBAUELEMENTEN UND -SCHALTKREISEN = METHODE D'ANALYSE ASSISTEE PAR ORDINATEUR POUR L'ETUDE DES COMPOSANTS ET DES CIRCUITS BIPOLAIRESBRAEUER K; ELSCHNER H; GROSSEHELWEG J et al.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 2; PP. 63-66; BIBL. 2 REF.Article

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ANALYSE BI-DIMENSIONNELLE DES PROCESSUS ONDULATOIRES DANS LA BASSE CHROMOSPHERE AU VOISINAGE D'UNE REGION ACTIVE, A PARTIR DES FILTROGRAMMES DANS LA RAIE BAII 4554+0,05 APOLYAKOV VI; MERKULENKO VE; SKOMOROVSKIJ VI et al.1977; SOLNECH. DANNYE, BJULL.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 10; PP. 62-66; H.T. 2; ABS. ANGL.Article

ZANBIT. EIN PROGRAMM ZUR OERTLICH EIN- UND ZWEIDIMENSIONALEN NUMERISCHEN ANALYSE VON BIPOLARSTRUKTUREN. II = ZANBIT. UN PROGRAMME POUR L'ANALYSE NUMERIQUE BIDIMENSIONNELLE ET UNIDIMENSIONNELLE LOCALE DE STRUCTURES BIPOLAIRESSCHUEFFNY R; FISCHER WJ; MOESCHWITZER A et al.1982; ZEITSCHRIFT FUER ELEKTRISCHE INFORMATIONS- UND ENERGIETECHNIK; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 2; PP. 127-140; BIBL. 98 REF.Article

CHOIX DE L'APPROXIMATION INITIALE DANS LE PROBLEME DE L'ANALYSE NUMERIQUE DES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS BIPOLAIRESMULYARCHIK SG; ABRAMOV II.1981; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1981; VOL. 24; NO 3; PP. 49-56; BIBL. 20 REF.Article

TWO-DIMENSIONAL TIME-DEPENDENT ANALYSIS OF THE SWITCHING OF A THYRISTOR.SHIH PEI HU; RABINOVICI BM.1977; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 48; NO 1; PP. 270-278; BIBL. 19 REF.Article

VERGLEICH VON EIN- UND ZWEIDIMENSIONALER ANALYSE DES UEBERGANGSVERHALTENS VERTEILTER EXPONENTIELLER SCHICHTSTRUKTUREN. = COMPARAISON DES ANALYSES UNIDIMENSIONNELLE ET BIDIMENSIONNELLE DES TRANSITIONS DANS LES STRUCTURES EN COUCHES EXPONENTIELLES ET REPARTIESMULLER R.1977; WISSENSCH. Z. TECH. HOCHSCH. ILMENAU; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 23; NO 5; PP. 71-79; BIBL. 5 REF.Article

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ANALYSIS OF THE PROPERTIES OF THREE-TERMINAL TRANSFERRED ELECTRON LOGIC DEVICES.CURTICE WR.1977; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 24; NO 12; PP. 1353-1359; BIBL. 12 REF.Article

L'ANALYSE SPECTRALE DIFFERENTIELLE: MISE EN OEUVRE, APPLICATIONS ET EXTENSIONSPERIO P; CHAINTREUIL S; WU F et al.1983; COMPTES RENDUS DES SEANCES DE L'ACADEMIE DES SCIENCES. SERIE 2: MECANIQUE, PHYSIQUE, CHIMIE, SCIENCES DE L'UNIVERS, SCIENCES DE LA TERRE; ISSN 0750-7623; FRA; DA. 1983; VOL. 296; NO 1; PP. 33-38; ABS. ENG; BIBL. 4 REF.Article

PROCEDE DE CONSTRUCTION DE L'APPROXIMATION INITIALE LORS DE L'ANALYSE NUMERIQUE DE DISPOSITIFS MOSMULYARCHIK SG; SOLOV'EV VG.1982; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1982; VOL. 25; NO 6; PP. 46-50; BIBL. 10 REF.Article

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ANALYTICAL MODELS OF THRESHOLD VOLTAGE AND BRAKDOWN VOLTAGE OF SHORT-CHANNEL MOSFET'S DERIVED FROM TWO-DIMENSIONAL ANALYSISTOYABE T; ASAI S.1979; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; USA; DA. 1979; VOL. 14; NO 2; PP. 375-383; BIBL. 8 REF.Article

REMEDIABLE AND NONREMEDIABLE CAUSES OF PARASITIC ELEMENTS IN INP M.E.S.F.E.T.S.WADA T; FREY J.1978; ELECTRON. LETTERS; GBR; DA. 1978; VOL. 14; NO 25; PP. 830-832; BIBL. 6 REF.Article